Već sad naši telefoni imaju više RAM memorije nego prosečan računar, a najavljeni su novi brži i moćniji moduli od 12 i čak 16 GB RAM memorije!
I dok su se računari ustalili na proseku do 8 GB RAM memorije, koje prevazilaze gotovo samo gejming konfiguracije, pametni telefoni ne pokazuju znakove smanjivanja gomilanja RAM memorije. Sa osam polako prelazimo na čak 12 GB RAM, koji su upravo postali moćniji i brži, a uskoro nam stiže i još brži i moćniji čip od 16 Gb za modele RAM memorije od čak 16 GB.
Razlog sve većeg broja RAM u telefonima su - 5G, bolje performanse i ušteda energije.
Kompanija Samsung, baš pred prezentaciju Galaxy Note 10, započinje masovnu proizvodnju prvih 12 Gb LPDDR5 DRAM čipova, optimizovanih za 5G mrežu i veštačku inteligenciju na pametnim telefonima.
Novi modul dolazi samo pet meseci nakon početka proizvodnje 12 GB LPDDR4X čipa, dok je u planu i masovna proizvodnja 12 GB LPDDR5 paketa do kraja jula. Svaki od njih kombinovaće po osam 12 Gb čipova, u skladu sa rastućom tražnjom za boljim performansama i kapacitetima od strane vodećih proizvođača pametnih telefona. Ovi čipovi omogući će novoj generaciji flagship smartfona da u potpunosti iskoriste potencijale 5G mreže i veštačke inteligencije, poput snimanja Ultra HD (ultra-high-definition) video materijala i mašinskog učenja, uz značajno produženje životnog veka baterije.
Novi 12 Gb LPDDR5 čipovi biće izrađeni na drugoj generaciji 10-nanometarske klase.
Uz brzinu protoka podataka od 5.500 megabita po sekundi (Mbps), 12 Gb LPDDR5 je skoro 1,3 puta brži od svog prethodnika (LPDDR4X, čija je brzina bila 4.266 Mbps), koji je integrisan u današnje premijum pametne telefone. Ovakvom paketu od 12 GB potrebna je samo jedna sekunda za prenos 44 GB podataka, što je jednako veličini 12 Full-HD filmova (veličine 3,7 GB).
Pored ovoga, novi moduli troše do 30 procenata manje energije u odnosu na svoje prethodnike, zahvaljujući redizajniranom strujnom kolu, koje poseduje poboljšanu funkciju takta, kao i performanse, koje rade sa minimumom energije, čak i prilikom velikih brzina.
Samsung izmešta proizvodnju iz Kine?
Kako bi na najbolji način upravljao proizvodnim kapacitetima, Samsung u zavisnosti od potražnje na globalnom nivou razmatra premeštanje proizvodnje čipa 12 Gb LPDDR5 u svoj kampus u Pjongteku (Koreja) sledeće godine.
Nakon 12 Gb LPDDR5 DRAM mobilnih čipova, očekuje se da sledeće godine bude razvijen i 16 Gb LPDDR5 modul, za još brže i štedljivije performanse telefona.
Tok razvoja Samsung RAM čipova od 2009:
Datum | Kapacitet | DRAM mobilni čip |
Jul 2019. | 12 GB | 10nm-class 12 Gb LPDDR5, 5500 Mb/s |
Jun 2019. | 6 GB | 10nm-class 12 Gb LPDDR5, 5500 Mb/s |
Februar 2019. | 12 GB | 10nm-class 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
April 2018. | 8 GB (razvoj) | 10nm-class 8 Gb LPDDR5, 6400 Mb/s |
Septembar 2016. | 8 GB | 10nm-class 16 Gb LPDDR4X, 4266 Mb/s |
Avgust 2015. | 6 GB | 20nm 12 Gb LPDDR4, 4266 Mb/s |
Decembar 2014. | 4 GB | 20nm 8 Gb LPDDR4, 3200 Mb/s |
Septembar 2014. | 3 GB | 20nm 6 Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
Novembar 2013. | 3 GB | 20nm-class 6 Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
Jul 2013. | 3 GB | 20nm-class 4 Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
April 2013. | 2 GB | 20nm-class 4 Gb LPDDR3, 2133 Mb/s |
Avgust 2012. | 2 GB | 30nm-class 4 Gb LPDDR3, 1600 Mb/s |
| 2011. | 1/2 GB | 30nm-class 4 Gb LPDDR2, 1066 Mb/s |
| 2010. | 512 MB | 40nm-class 2 Gb MDDR, 400 Mb/s |
| 2009. | 256 MB | 50nm-class 1 Gb MDDR, 400 Mb/s |