Namenjena za DATA centre, superračunare, veštačku inteligenciju i mašinsko učenje, ali će doći i na obične računare.
Kompanija Samsung je obelodanila nove RAM module koji pokazuju potencijal DDR5 memorije kada je u pitanju brzina i kapacitet.
RAM od 512 gigabajta DDR5 je prvi koji će koristiti High-K Metal Gate tehnologiju (HKMG) koja dostavlja brzinu 7.200 megbita po sekundi, što je gotovo duplo više od DDR4, ističe Samsung.
Trenutno novi RAM je namenjen superkompjuterima, veštačkoj inteligenciji (AI) i funkcijama mašinskog učenja, ali će se ovaj DDR5 naći i na "običnim" računar, kako bi poboljšala rad video igara i drugih aplikacija. Samsung je HKMG tehnologiju prvi put korisito 2018. godine za GDDR6 čipset. Te procesore je razvijao Intel, te su koristili metal hafnijum umesto silikona koji je menjao polisilicijumske elektrode. Sve to omogućava veću gustinu čipova, istovremeno smanjujući curenje struje.
Svaki čipset koristi osam slojeva 16GB DRAM čipseta kapaciteta 128 GB. Kao takvog, Samsung-u je bilo potrebno 32 istih da bi napravili 512 GB RAM module. Pored toga što je brži i ima veći kapacitet, Samsung ističe da ovi čipseti troše 13% manje energije nego oni čipseti koji nisu izrađeni kroz HKMG, što je idealno za data centre, prenosi Engadget.
Sa brzinom od 7.200 Mbps, Samsung-ov poslednji modul dostavlja brzinu transfera na jednom kanalu od 57,6 gigabajta po sekundi (GB/s). Intel dodaje da će ta memorija biti kompatabilna sa sledećom generacijom njihovog procesora Sapphire Rapids. Arhitektura istog će koristiti osmokanalni DDR5 kako bi mogli da vidimo konfiguracije memorije sa više terabajta sa brzinama prenosa memorije od 460 GB/s.
RAM OD 512 GIGABAJTA: Duplo brži, troši manje energije, a posle superkompjutera stiže i na kućne računare
